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| 브랜드 이름: | Weiaipu |
| 모델 번호: | V180162T |
| MOQ: | 1728PCS |
| 가격: | USD0.07 |
| 포장에 대한 세부 사항: | 판지 상자 |
| 지불 조건: | 티/티 |
V180162T는 Shenzhen VIIP Electronics Co., Ltd에서 제조한 EMI 억제 페라이트 코어로, EMC 노이즈 억제에 특화되어 있습니다. 이 부품은 전자 회로 내 고주파 전자기 간섭을 효과적으로 억제하며 RoHS 및 REACH 환경 요구 사항을 완벽하게 준수합니다.
임피던스 성능은 10개 생산 샘플 테스트 데이터로 검증되었으며, 1-500 MHz 주파수 범위에서 노이즈 감쇠를 목표로 합니다. 토로이달 갭 없는 자기 경로 설계는 케이블 하네스 및 회로 수준 EMC 최적화를 위한 안정적인 광대역 노이즈 감소 성능을 제공합니다.
치수 데이터는 공식 승인 시트 샘플 테스트 기록(Rev.4.0)에서 가져옵니다. 샘플 측정 일반 값(10개 샘플 평균): A=18.98 mm, B=10.98 mm, C=12.90 mm. 전체 치수 허용 오차 데이터 및 개별 샘플 판독값은 요청 시 제공되며, 승인 시트 6080025020-V180162T Rev4.0을 참조하십시오.
| 항목 | 사양 |
|---|---|
| 테스트 장비 | E4991A |
| 테스트 주파수 범위 | 1 MHz ~ 500 MHz |
| 테스트 와인딩 픽스처 | Ø0.5*0.5TS*100L(mm) |
| 일반 인덕턴스 L (10개 샘플 평균) | 29.96 μH |
| 일반 임피던스 @25 KHz (평균) | 85.04 Ω |
| 일반 임피던스 @100 MHz (평균) | 18.98 Ω |
임피던스 대 주파수 테스트 곡선은 참조용으로 공식 승인 시트에 첨부되어 있습니다.
| 매개변수 | 값 |
|---|---|
| 초기 투자율 μi | 650 (±20%) |
| 상대 손실 계수 | 20*10⁻⁶ @0.1 MHz |
| 포화 자속 밀도 | 260 mT (@1600 A/m) |
| 잔류 자속 밀도 Br | 150 mT |
| 보자력 | 35 A/m |
| 전기 비저항 | 고주파 작동 조건에서 와전류 손실을 최소화하기 위한 높은 비저항 |
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| 브랜드 이름: | Weiaipu |
| 모델 번호: | V180162T |
| MOQ: | 1728PCS |
| 가격: | USD0.07 |
| 포장에 대한 세부 사항: | 판지 상자 |
| 지불 조건: | 티/티 |
V180162T는 Shenzhen VIIP Electronics Co., Ltd에서 제조한 EMI 억제 페라이트 코어로, EMC 노이즈 억제에 특화되어 있습니다. 이 부품은 전자 회로 내 고주파 전자기 간섭을 효과적으로 억제하며 RoHS 및 REACH 환경 요구 사항을 완벽하게 준수합니다.
임피던스 성능은 10개 생산 샘플 테스트 데이터로 검증되었으며, 1-500 MHz 주파수 범위에서 노이즈 감쇠를 목표로 합니다. 토로이달 갭 없는 자기 경로 설계는 케이블 하네스 및 회로 수준 EMC 최적화를 위한 안정적인 광대역 노이즈 감소 성능을 제공합니다.
치수 데이터는 공식 승인 시트 샘플 테스트 기록(Rev.4.0)에서 가져옵니다. 샘플 측정 일반 값(10개 샘플 평균): A=18.98 mm, B=10.98 mm, C=12.90 mm. 전체 치수 허용 오차 데이터 및 개별 샘플 판독값은 요청 시 제공되며, 승인 시트 6080025020-V180162T Rev4.0을 참조하십시오.
| 항목 | 사양 |
|---|---|
| 테스트 장비 | E4991A |
| 테스트 주파수 범위 | 1 MHz ~ 500 MHz |
| 테스트 와인딩 픽스처 | Ø0.5*0.5TS*100L(mm) |
| 일반 인덕턴스 L (10개 샘플 평균) | 29.96 μH |
| 일반 임피던스 @25 KHz (평균) | 85.04 Ω |
| 일반 임피던스 @100 MHz (평균) | 18.98 Ω |
임피던스 대 주파수 테스트 곡선은 참조용으로 공식 승인 시트에 첨부되어 있습니다.
| 매개변수 | 값 |
|---|---|
| 초기 투자율 μi | 650 (±20%) |
| 상대 손실 계수 | 20*10⁻⁶ @0.1 MHz |
| 포화 자속 밀도 | 260 mT (@1600 A/m) |
| 잔류 자속 밀도 Br | 150 mT |
| 보자력 | 35 A/m |
| 전기 비저항 | 고주파 작동 조건에서 와전류 손실을 최소화하기 위한 높은 비저항 |
