|
| ブランド名: | Weiaipu |
| モデル番号: | V18033H |
| MOQ: | 15000pcs |
| 価格: | 0.03USD |
| パッケージの詳細: | カートン |
| 支払条件: | T/T |
V18033Hは、Shenzhen VIIP Electronics Co., Ltd.が製造するトロイダルギャップレスNi-ZnフェライトEMI抑制コアであり、EMC高周波ノイズ抑制に特化しています。この高性能磁性部品は、電子回路および配線ハーネス内の高周波電磁干渉を効果的に減衰させ、RoHSおよびREACHの環境要件に完全に準拠しています。
インピーダンス性能は、1 MHzから500 MHzのノイズ減衰周波数範囲をカバーする生産サンプルテストデータによって検証されています。クローズドトロイダル磁気パス構造は、ケーブルハーネスおよびPCBAレベルのEMC最適化に対して安定した広帯域EMIフィルタリング性能を提供します。完全なテスト記録とインピーダンス周波数曲線は、エンジニアリング参照用に公式のRev.4.0承認シート（Doc No.6080024125）に記載されています。
| 項目 | 仕様 |
|---|---|
| テスト機器 | E4991A + 16194A |
| テスト周波数範囲 | 1 MHz ~ 500 MHz |
| テスト巻線治具 | Ø0.5*0.5TS*100L(mm) |
| 最小インピーダンス @25 MHz | ≥20 Ω |
| 最小インピーダンス @100 MHz | ≥50 Ω |
| パラメータ | 値 |
|---|---|
| 材料グレード | VN02 Ni-Znフェライト |
| 初期透磁率 μi | 650 (±20%) |
| 相対損失係数 tanδ/μi | 20*10⁻⁶ @0.1 MHz |
| 飽和磁束密度 Bs | 260 mT @1600 A/m |
| 残留磁束密度 Br | 150 mT |
| 保磁力 Hc | 35 A/m |
| キュリー温度 Tc | >140 °C |
| 抵抗率 | >10 Ω*m |
| 密度 | 4.9 g/cm³ |
| 寸法 A | 6.0±0.2 mm |
| 寸法 B | 10.0±0.3 mm |
| 寸法 C | 4.0±0.2 mm |
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| ブランド名: | Weiaipu |
| モデル番号: | V18033H |
| MOQ: | 15000pcs |
| 価格: | 0.03USD |
| パッケージの詳細: | カートン |
| 支払条件: | T/T |
V18033Hは、Shenzhen VIIP Electronics Co., Ltd.が製造するトロイダルギャップレスNi-ZnフェライトEMI抑制コアであり、EMC高周波ノイズ抑制に特化しています。この高性能磁性部品は、電子回路および配線ハーネス内の高周波電磁干渉を効果的に減衰させ、RoHSおよびREACHの環境要件に完全に準拠しています。
インピーダンス性能は、1 MHzから500 MHzのノイズ減衰周波数範囲をカバーする生産サンプルテストデータによって検証されています。クローズドトロイダル磁気パス構造は、ケーブルハーネスおよびPCBAレベルのEMC最適化に対して安定した広帯域EMIフィルタリング性能を提供します。完全なテスト記録とインピーダンス周波数曲線は、エンジニアリング参照用に公式のRev.4.0承認シート（Doc No.6080024125）に記載されています。
| 項目 | 仕様 |
|---|---|
| テスト機器 | E4991A + 16194A |
| テスト周波数範囲 | 1 MHz ~ 500 MHz |
| テスト巻線治具 | Ø0.5*0.5TS*100L(mm) |
| 最小インピーダンス @25 MHz | ≥20 Ω |
| 最小インピーダンス @100 MHz | ≥50 Ω |
| パラメータ | 値 |
|---|---|
| 材料グレード | VN02 Ni-Znフェライト |
| 初期透磁率 μi | 650 (±20%) |
| 相対損失係数 tanδ/μi | 20*10⁻⁶ @0.1 MHz |
| 飽和磁束密度 Bs | 260 mT @1600 A/m |
| 残留磁束密度 Br | 150 mT |
| 保磁力 Hc | 35 A/m |
| キュリー温度 Tc | >140 °C |
| 抵抗率 | >10 Ω*m |
| 密度 | 4.9 g/cm³ |
| 寸法 A | 6.0±0.2 mm |
| 寸法 B | 10.0±0.3 mm |
| 寸法 C | 4.0±0.2 mm |
