| نام تجاری: | Weiaipu |
| شماره مدل: | V18007H |
| مقدار تولیدی: | 3000 عدد |
| قیمت: | 0.02USD |
| جزئیات بسته بندی: | کارتن |
| شرایط پرداخت: | T/T |
V18007H یک هسته فریت سرکوب EMI است که توسط شرکت VIIP Electronics Co., Ltd شنژن تولید شده و برای سرکوب نویز EMC طراحی شده است. این قطعه با کارایی بالا به طور موثر تداخل الکترومغناطیسی فرکانس بالا را در مدارهای الکترونیکی سرکوب می کند و کاملاً با الزامات زیست محیطی RoHS و REACH مطابقت دارد.
عملکرد امپدانس با دادههای تست نمونه تولید ۱۰ عددی تأیید شده است و تضعیف نویز را در محدوده فرکانسی ۱-۵۰۰ مگاهرتز هدف قرار میدهد. طراحی مسیر مغناطیسی بدون شکاف توروییدی آن، عملکرد پایدار کاهش نویز پهن باند را برای بهینهسازی EMC در سطح سیمکشی کابل و مدار فراهم میکند.
| مورد | مشخصات |
|---|---|
| ابزار تست | E4991A |
| محدوده فرکانس تست | ۱ مگاهرتز ~ ۵۰۰ مگاهرتز |
| فیکسچر سیمپیچ تست | Ø0.5 _0.5TS_ 100L(mm) |
| امپدانس معمول @۲۵ مگاهرتز (میانگین ۱۰ نمونه) | ۲۶.۸ Ω (حداقل مشخصات ۲۰ Ω) |
| امپدانس معمول @۱۰۰ مگاهرتز (میانگین ۱۰ نمونه) | ۷۷.۹ Ω (حداقل مشخصات ۴۰ Ω) |
منحنی تست امپدانس در مقابل فرکانس در برگه تأیید رسمی برای مراجعه پیوست شده است.
| پارامتر | مقدار |
|---|---|
| درجه مواد | VNO2 |
| تراوایی اولیه μi | ۲۰ @۰.۱ مگاهرتز |
| ضریب اتلاف نسبی | ۲۰*۱۰⁻⁶ @۰.۱ مگاهرتز |
| نام تجاری: | Weiaipu |
| شماره مدل: | V18007H |
| مقدار تولیدی: | 3000 عدد |
| قیمت: | 0.02USD |
| جزئیات بسته بندی: | کارتن |
| شرایط پرداخت: | T/T |
V18007H یک هسته فریت سرکوب EMI است که توسط شرکت VIIP Electronics Co., Ltd شنژن تولید شده و برای سرکوب نویز EMC طراحی شده است. این قطعه با کارایی بالا به طور موثر تداخل الکترومغناطیسی فرکانس بالا را در مدارهای الکترونیکی سرکوب می کند و کاملاً با الزامات زیست محیطی RoHS و REACH مطابقت دارد.
عملکرد امپدانس با دادههای تست نمونه تولید ۱۰ عددی تأیید شده است و تضعیف نویز را در محدوده فرکانسی ۱-۵۰۰ مگاهرتز هدف قرار میدهد. طراحی مسیر مغناطیسی بدون شکاف توروییدی آن، عملکرد پایدار کاهش نویز پهن باند را برای بهینهسازی EMC در سطح سیمکشی کابل و مدار فراهم میکند.
| مورد | مشخصات |
|---|---|
| ابزار تست | E4991A |
| محدوده فرکانس تست | ۱ مگاهرتز ~ ۵۰۰ مگاهرتز |
| فیکسچر سیمپیچ تست | Ø0.5 _0.5TS_ 100L(mm) |
| امپدانس معمول @۲۵ مگاهرتز (میانگین ۱۰ نمونه) | ۲۶.۸ Ω (حداقل مشخصات ۲۰ Ω) |
| امپدانس معمول @۱۰۰ مگاهرتز (میانگین ۱۰ نمونه) | ۷۷.۹ Ω (حداقل مشخصات ۴۰ Ω) |
منحنی تست امپدانس در مقابل فرکانس در برگه تأیید رسمی برای مراجعه پیوست شده است.
| پارامتر | مقدار |
|---|---|
| درجه مواد | VNO2 |
| تراوایی اولیه μi | ۲۰ @۰.۱ مگاهرتز |
| ضریب اتلاف نسبی | ۲۰*۱۰⁻⁶ @۰.۱ مگاهرتز |